Universal Flash Storage 3.1 или eUFS 3.1 является самым быстрым в мире встроенным хранилищем для смартфонов

Samsung продолжает стремительно опережать своих конкурентов, выпуская более быстрые компоненты для смартфонов. Недавно она объявила о старте массового производства чипов памяти LPDDR5 второго поколения на 16 ГБ для мобильных устройств. Теперь же компания сообщила о старте массовой разработки нового встроенного накопителя. Universal Flash Storage 3.1 или eUFS 3.1 является самым быстрым в мире хранилищем и появится в будущих флагманах.

eUFS 3.1

В этом месяце компания начала массовое производство eUFS 3.1 для смартфонов на своей новой линии X2 в китайском городе Сиань. В конечном итоге она перенесет производство на свою линию P1 в корейский Пхентек, чтобы удовлетворить растущий спрос. Что касается различий в скорости, то стандарт eUFS 3.1 в три раза быстрее по скорости записи, чем eUFS 3.0 предыдущего поколения.

Как утверждает Samsung, новый стандарт может достигать скорости последовательной записи свыше 1200 МБ/с. Это означает, что для передачи около 100 ГБ данных потребуется всего 1,5 минуты. Помимо этого, eUFS 3.1 на 512 ГБ может обеспечить более быстрые процессы (на 60%). Проще говоря, он предлагает 100 тыс. операций ввода-вывода в секунду для чтения и 70 тыс. операций ввода-вывода в секунду для записи. В дополнение к хранилищу на 512 ГБ, Samsung предоставит своим партнерам в будущем варианты памяти на 256 ГБ и 128 ГБ.

Загрузка...